甬江實驗室采購化學(xué)機械拋光機（金屬）等設(shè)備項目（重招）國際招標(biāo)公告(2)

項目編號 : 0762-2441CBNB2001

公布日期 : 2024-01-22

受招標(biāo)人委托對下列產(chǎn)品及服務(wù)進行國際公開競爭性招標(biāo)，于2024年01月22日在 公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。

1. 招標(biāo)條件

項目概況：甬江實驗室因發(fā)展需要，需采購化學(xué)機械拋光機（金屬）設(shè)備、等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備、高深寬比磁控濺射設(shè)備各1套。

資金到位或資金來源落實情況：項目所需資金已經(jīng)落實。

  項目已具備招標(biāo)條件的說明：項目已具備招標(biāo)條件。

2. 招標(biāo)內(nèi)容：

招標(biāo)項目編號：0762-2441CBNB2001

招標(biāo)項目名稱：甬江實驗室采購化學(xué)機械拋光機（金屬）等設(shè)備項目（重招）

項目實施

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2

等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備

1套

借助微波或射頻使氣體電離，局部形成等離子體，在較低的溫度下沉積薄膜。用于沉積SiO₂、SiNx、SiON、P-doped SiO₂、Ge-doped SiO₂、BPSG、FSG等薄膜。

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3

高深寬比磁控濺射設(shè)備

1套

使用磁控濺射方式用于深硅刻蝕后的硅通孔孔壁沉積阻擋層（Ti或Ta）及電鍍種子層（Cu），防止金屬與Si相互擴散的同時作為后續(xù)電鍍孔內(nèi)填充金屬的導(dǎo)電層。

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3. 投標(biāo)人資格要求

3.1特定資格條件：

3.1.1投標(biāo)人必須是投標(biāo)產(chǎn)品的制造商或投標(biāo)產(chǎn)品的制造商授權(quán)的代理商，如為代理商需提供制造商針對本項目的授權(quán)書；

3.2本項目不接受聯(lián)合體投標(biāo)。

3.3未領(lǐng)購招標(biāo)文件不可以參加投標(biāo)。

4.

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來源：中國電力招標(biāo)采購網(wǎng)?編輯：cbbiddin